Diboran

Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2023-01)
Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan.
Diboran
Strukturformel
Molekylmodell
Systematiskt namnDiborhexahydrid
Kemisk formelB2H6
Molmassa27,67 g/mol
UtseendeFärglös gas
CAS-nummer19287-45-7
SMILES[H][B]1([H])[H][B]([H])([H])[H]1
Egenskaper
Densitet1,2 g/cm³
Löslighet (vatten)Hydrolys
Smältpunkt-165,5 °C
Kokpunkt-92,4 °C
Faror
Huvudfara
Mycket brandfarlig Mycket brandfarlig
Mycket giftig Mycket giftig
NFPA 704

4
4
3
SI-enheter & STP används om ej annat angivits

Diboran är en kemisk förening bestående av bor och väte. Vid rumstemperatur är den en färglös gas med kväljande sötaktig lukt. Diboran blandar sig lätt med luft och bildar en explosiv blandning. I fuktig luft kan blandningen spontandetonera.

Molekylstruktur

Diboranmolekylen består av två boratomer med vardera två väteatomer med normala kovalent bindningar samt två väteatomer mellan boratomerna. De sistnämnda två väteatomerna och boratomerna har en valenselektron var, tillsammans fyra elektroner, som skapar en cirkulär bindning liknande den som finns i aromatiska kolväten.

Framställning

Industriell framställning sker genom reduktion av bortrifluorid eller bortriklorid med en annan metallhydrid:

2   B F 3 + 6   N a H B 2 H 6 + 6   N a F {\displaystyle {\rm {2\ BF_{3}+6\ NaH\rightarrow B_{2}H_{6}+6\ NaF}}}
4   B C l 3 + 3   L i A l H 4 2   B 2 H 6 + 3   L i A l C l 4 {\displaystyle {\rm {4\ BCl_{3}+3\ LiAlH_{4}\rightarrow 2\ B_{2}H_{6}+3\ LiAlCl_{4}}}}

För småskalig framställning för laboratoriebruk så är oxidation av borhydridsalt en lämpligare metod:

2   N a B H 4 + I 2 2   N a I + B 2 H 6 + H 2 {\displaystyle {\rm {2\ NaBH_{4}+I_{2}\rightarrow 2\ NaI+B_{2}H_{6}+H_{2}}}}

Användning

Diboran används som raketbränsle, vulkaniseringsmedel för gummi samt som katalysator för polymerisation av kolväten. Det är också ett mellansteg vid tillverkning av kemiskt ren bor för dopning av halvledare.